Werkstoffe
Gesintertes Siliziumkarbid
Physikalische Eigenschaften von reaktionsgesintertem Siliziumkarbidwerkstoff SSiC (Q1)
| Dichte | 3,10 – 3,15 g/cm3 |
| Härte | 2600 HV0,5 |
| Porosität | 0,2 % |
| Druckfestigkeit | 2200 MPa |
| Reinheit (Inhalt von SiC) | 99 % |
| E-Modul | 400 GPa |
| Thermische Leitfähigkeit | 90 – 110 W/mK |
| Maximale Temperatur | 1600 oC |
| Wärmedehnung | 4,0.10-6/oC |